2W06G-E4/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6156969

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2W06G 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：-

编号：D6155370

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 1 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Good-Ark Semiconductor

2W06G 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：-

编号：D6157058

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Diodes Incorporated

2W06G 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6159764

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOB

制造商：onsemi

2W06G-E4/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-圆形，WOG

类目： 整流桥

编号：L44813194

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：2A

反向电流(Ir)：5uA@600V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：60A

2W06G-E4/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-圆形，WOG

类目： 整流桥

编号：L33265302

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：2A

反向电流(Ir)：5uA@600V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：60A

2W06G 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L33266995

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Good-Ark Semiconductor

包装：盒

2W06G 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L44814393

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Good-Ark Semiconductor

包装：盒

2W06G 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L44815918

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Diodes Incorporated

包装：散装

2W06G 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L33269029

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Diodes Incorporated

包装：散装