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APTM100A13SCG 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:SP6

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号:L44798530

配置:半桥

漏源电压(Vdss):1000V

连续漏极电流(Id):65A

耗散功率(Pd):1250W

1+: ¥ 2097.489796

总额:¥ 2097.49

APTM100A13SCG 复制

品牌:Microchip Technology复制

封装:SP6

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号:L33243658

配置:半桥

漏源电压(Vdss):1000V

连续漏极电流(Id):65A

耗散功率(Pd):1250W

1+: ¥ 2097.489796

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