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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BAS40-05-HE3_A-18 复制

品牌:vishay semiconductors复制

封装:-

编号:L51025825

1+: ¥ 45.102394

10+: ¥ 30.908680

100+: ¥ 19.516357

500+: ¥ 12.326120

1000+: ¥ 10.832045

2500+: ¥ 9.524729

5000+: ¥ 8.068006

10000+: ¥ 6.219088

20000+: ¥ 5.126545

总额:¥ 45.1

没有符合条件的记录。
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原厂正品

BAS40-05-HE3_A-18 复制

品牌:Vishay复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44732639

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

10000+: ¥ 0.658699

20000+: ¥ 0.632503

总额:¥ 6586.99

BAS40-05-HE3_A-18 复制

品牌:Vishay复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L33229045

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

10000+: ¥ 0.658699

20000+: ¥ 0.632503

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