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BAW56-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44726742

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 3.057565

10+： ¥ 1.884121

100+： ¥ 1.180881

500+： ¥ 0.874794

1000+： ¥ 0.775795

总额：¥ 3.06

BAW56-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L33228330

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 3.057565

10+： ¥ 1.884121

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