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BAW56-HE3_A-18 复制

品牌：Vishay复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44732520

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10000+： ¥ 0.505325

20000+： ¥ 0.461692

30000+： ¥ 0.458139

总额：¥ 5053.25

BAW56-HE3_A-18 复制

品牌：Vishay复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L33228826

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10000+： ¥ 0.505325

20000+： ¥ 0.461692

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