BDX33C 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：TO-220-3

类目： 达林顿管

编号：L51739646

集射极击穿电压(Vceo)：100V

直流电流增益(hFE)：750

耗散功率(Pd)：-

集电极电流(Ic)：10A

BDX33C 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-220-3

类目： 达林顿管

编号：L51736094

手册:  

集射极击穿电压(Vceo)：100V

直流电流增益(hFE)：750

耗散功率(Pd)：-

集电极电流(Ic)：10A

BDX33CP2 复制

品牌：Harris Corporation复制

封装：-

编号：L51739841

BDX33C 复制

品牌：Harris Corporation复制

封装：TO-220-3

类目： 达林顿管

编号：L51739654

集射极击穿电压(Vceo)：100V

直流电流增益(hFE)：750

耗散功率(Pd)：-

集电极电流(Ic)：10A

BDX33CG 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-220-3

编号：L51736916

手册:  

BDX33C 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-220-3

编号：L51740751

手册:  

BDX33CTU 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-220-3

编号：L51747077