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类目：
全部 场效应管(MOSFET)
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品牌：
全部 INFINEON (3) Infineon Technologies (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E009282

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 13.960000

10+： ¥ 12.120000

100+： ¥ 9.920000

500+： ¥ 8.230000

1000+： ¥ 6.410000

2500+： ¥ 6.260000

5000+： ¥ 6.170000

10000+： ¥ 6.000000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 13.96

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：8-PowerTDFN

编号：L44044856

1+： ¥ 22.229326

10+： ¥ 14.320975

100+： ¥ 9.799084

500+： ¥ 7.863397

1000+： ¥ 7.283864

总额：¥ 22.23

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E017033

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 13.960000

10+： ¥ 12.120000

100+： ¥ 9.920000

500+： ¥ 8.230000

1000+： ¥ 6.410000

2500+： ¥ 6.260000

5000+： ¥ 6.170000

10000+： ¥ 6.000000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 13.96

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016015

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 13.960000

10+： ¥ 12.120000

100+： ¥ 9.920000

500+： ¥ 8.230000

1000+： ¥ 6.410000

2500+： ¥ 6.260000

5000+： ¥ 6.170000

10000+： ¥ 6.000000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 13.96

Total:41
总4条记录，每页20条，共1页。

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