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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSM180C12P2E202 复制

品牌:rohm semiconductor复制

封装:-

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号:L51026787

漏源电压(Vdss):1200V

连续漏极电流(Id):204A

耗散功率(Pd):1360W

1+: ¥ 48818.345313

12+: ¥ 47550.435788

总额:¥ 48818.35

没有符合条件的记录。
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原厂正品

BSM180C12P2E202 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:模块

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号:L44079147

漏源电压(Vdss):1200V

连续漏极电流(Id):204A

耗散功率(Pd):1360W

4+: ¥ 5271.097963

总额:¥ 21084.39

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