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类目：
全部 场效应管(MOSFET)
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品牌：
全部 INFINEON (3) Infineon Technologies (1)
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-

型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L33240401

1+： ¥ 12.478172

10+： ¥ 7.867033

100+： ¥ 5.217694

500+： ¥ 4.080114

1000+： ¥ 3.714115

总额：¥ 12.48

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016912

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 9.040000

10+： ¥ 8.160000

100+： ¥ 6.310000

500+： ¥ 5.220000

1000+： ¥ 4.120000

2500+： ¥ 3.850000

10000+： ¥ 3.740000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 9.04

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015894

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 9.040000

10+： ¥ 8.160000

100+： ¥ 6.310000

500+： ¥ 5.220000

1000+： ¥ 4.120000

2500+： ¥ 3.850000

10000+： ¥ 3.740000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 9.04

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E007696

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 9.040000

10+： ¥ 8.160000

100+： ¥ 6.310000

500+： ¥ 5.220000

1000+： ¥ 4.120000

2500+： ¥ 3.850000

10000+： ¥ 3.740000

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 9.04

Total:41
总4条记录，每页20条，共1页。

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