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类目：
全部 场效应管(MOSFET)
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品牌：
全部 INFINEON (3) Infineon Technologies (1)
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BSS126H6327XTSA2 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L44044111

1+： ¥ 5.454035

10+： ¥ 3.355058

100+： ¥ 2.146080

500+： ¥ 1.622328

1000+： ¥ 1.453253

总额：¥ 5.45

BSS126H6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016289

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

5+： ¥ 3.350000

100+： ¥ 2.500000

500+： ¥ 1.960000

1000+： ¥ 1.510000

3000+： ¥ 1.380000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 16.75

BSS126H6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015269

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

5+： ¥ 3.350000

100+： ¥ 2.500000

500+： ¥ 1.960000

1000+： ¥ 1.510000

3000+： ¥ 1.380000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 16.75

BSS126H6327XTSA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E005750

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

5+： ¥ 3.350000

100+： ¥ 2.500000

500+： ¥ 1.960000

1000+： ¥ 1.510000

3000+： ¥ 1.380000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 16.75

Total:41
总4条记录，每页20条，共1页。

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