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BYG10J-AQ 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44086439

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@600V

反向恢复时间(Trr)：1.5us

1+： ¥ 3.057565

10+： ¥ 1.859330

100+： ¥ 1.163528

500+： ¥ 0.861738

1000+： ¥ 0.764143

2000+： ¥ 0.681754

总额：¥ 3.06

BYG10J 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44086121

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@600V

反向恢复时间(Trr)：1.5us

1+： ¥ 0.826369

10+： ¥ 0.330548

25+： ¥ 0.284271

100+： ¥ 0.235515

250+： ¥ 0.212873

500+： ¥ 0.198824

1000+： ¥ 0.187420

2500+： ¥ 0.175356

总额：¥ 0.83

BYG10J-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44094468

正向压降(Vf)：1.15V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

1+： ¥ 6.280404

10+： ¥ 3.859143

100+： ¥ 2.482412

500+： ¥ 1.885774

总额：¥ 6.28

BYG10JHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103918

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

15000+： ¥ 1.496554

总额：¥ 22448.31

BYG10JHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103917

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

12600+： ¥ 1.496554

总额：¥ 18856.58

BYG10JHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103590

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

7500+： ¥ 1.374417

总额：¥ 10308.13

BYG10J-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103491

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

12600+： ¥ 1.346403

总额：¥ 16964.68

BYG10J-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103487

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

15000+： ¥ 1.346403

总额：¥ 20196.05

BYG10JHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103366

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

7200+： ¥ 1.310291

总额：¥ 9434.1

BYG10J-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103123

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：4us

7500+： ¥ 1.238231

总额：¥ 9286.73

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