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BYG20D-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084647

正向压降(Vf)：1.4V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

总额：¥ 6.45

BYG20DH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44086812

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20D 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084043

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20D-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084663

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

1000+： ¥ 1.765207

2000+： ¥ 1.597454

总额：¥ 6.45

BYG20DHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104080

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.542418

总额：¥ 23136.27

BYG20DHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104079

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.542418

总额：¥ 22210.82

BYG20D-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103733

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.425321

总额：¥ 20524.62

BYG20D-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103730

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.425321

总额：¥ 21379.82

BYG20DHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103524

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

7200+： ¥ 1.355080

总额：¥ 9756.58

BYG20DHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103505

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

7500+： ¥ 1.348634

15000+： ¥ 1.248726

22500+： ¥ 1.197822

37500+： ¥ 1.161048

总额：¥ 10114.76

BYG20D 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44099607

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：75ns

7500+： ¥ 0.543503

15000+： ¥ 0.495326

22500+： ¥ 0.477228

总额：¥ 4076.27

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