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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG20GH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44086811

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44086820

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20GHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44087368

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 6.941500

10+： ¥ 4.288855

100+： ¥ 2.769163

500+： ¥ 2.112199

总额：¥ 6.94

BYG20G-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084659

正向压降(Vf)：1.4V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

总额：¥ 6.45

BYG20G-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44094471

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

1000+： ¥ 1.765207

2000+： ¥ 1.597454

总额：¥ 6.45

BYG20G R3G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44095235

1+： ¥ 7.767869

10+： ¥ 4.859050

100+： ¥ 3.164167

总额：¥ 7.77

BYG20GHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104082

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.542418

总额：¥ 23136.27

BYG20GHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104081

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.542418

总额：¥ 22210.82

BYG20GHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103747

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

7500+： ¥ 1.430445

总额：¥ 10728.34

BYG20G-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103734

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.425321

总额：¥ 20524.62

BYG20G-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103731

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.425321

总额：¥ 21379.82

BYG20G 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44099606

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@400V

反向恢复时间(Trr)：75ns

7500+： ¥ 0.543503

15000+： ¥ 0.495326

22500+： ¥ 0.477228

总额：¥ 4076.27

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