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BYG20J-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44081923

正向压降(Vf)：1.4V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

总额：¥ 6.45

BYG20J 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44080768

直流反向耐压(Vr)：600V

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 3.140202

10+： ¥ 1.941967

100+： ¥ 1.216415

500+： ¥ 0.902395

1000+： ¥ 0.800669

2000+： ¥ 0.714892

总额：¥ 3.14

BYG20JH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44086813

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20J 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44081232

直流反向耐压(Vr)：600V

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225505

1000+： ¥ 1.092542

2000+： ¥ 0.980652

总额：¥ 4.21

BYG20JHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44087369

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 6.941500

10+： ¥ 4.288855

100+： ¥ 2.769163

500+： ¥ 2.112199

1000+： ¥ 1.900401

2000+： ¥ 1.722070

总额：¥ 6.94

BYG20J-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084656

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

1000+： ¥ 1.765207

2000+： ¥ 1.597454

总额：¥ 6.45

BYG20JHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44094189

正向压降(Vf)：1.4V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

1+： ¥ 6.941500

10+： ¥ 4.288855

100+： ¥ 2.769163

500+： ¥ 2.112199

总额：¥ 6.94

BYG20JHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104083

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.542418

总额：¥ 22210.82

BYG20J-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103735

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

14400+： ¥ 1.425321

总额：¥ 20524.62

BYG20J-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103732

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.425321

总额：¥ 21379.82

BYG20JHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103441

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@600V

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.332272

总额：¥ 19984.08

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