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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG21M-E3/TR 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44079492

正向压降(Vf):1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):1uA@1kV

1+: ¥ 5.123488

10+: ¥ 3.164993

100+: ¥ 2.018819

500+: ¥ 1.522668

总额:¥ 5.12

BYG21M-E3/TR3 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44081927

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):1uA@1000V

反向恢复时间(Trr):120ns

1+: ¥ 6.445678

10+: ¥ 4.016153

100+: ¥ 2.581577

500+: ¥ 1.964444

1000+: ¥ 1.765207

2000+: ¥ 1.597454

总额:¥ 6.45

BYG21M-E3/TR 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目:二极管

编号:E000156

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

5+: ¥ 2.340000

100+: ¥ 1.600000

500+: ¥ 1.200000

CN: 1+

5 个/EA

总额:¥ 11.7

Total:31
总3条记录,每页20条,共1页。