BYG21MH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44083976

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

BYG21MHR3G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44095186

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

BYG21MHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104032

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

BYG21MHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104031

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

BYG21MHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103777

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

BYG21MHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44096650

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns