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BYG23M-E3/TR 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44079524

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向恢复时间(Trr):75ns

1+: ¥ 5.536672

10+: ¥ 3.412904

100+: ¥ 2.181614

500+: ¥ 1.649433

总额:¥ 5.54

BYG23M-E3/TR3 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44081696

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向恢复时间(Trr):75ns

1+: ¥ 5.536672

10+: ¥ 3.412904

100+: ¥ 2.181614

500+: ¥ 1.649433

1000+: ¥ 1.477878

2000+: ¥ 1.333264

总额:¥ 5.54

BYG23MH 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AC,SMA

编号:L44086655

1+: ¥ 3.718661

10+: ¥ 2.289042

100+: ¥ 1.445319

500+: ¥ 1.077750

1000+: ¥ 0.958836

2000+: ¥ 0.858763

总额:¥ 3.72

BYG23MHE3_A/I 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44084783

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):5uA@1kV

反向恢复时间(Trr):75ns

1+: ¥ 7.024137

10+: ¥ 4.338437

100+: ¥ 2.803044

500+: ¥ 2.138808

1000+: ¥ 1.924779

2000+: ¥ 1.744548

总额:¥ 7.02

BYG23M-M3/TR3 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44087394

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):5uA@1000V

反向恢复时间(Trr):75ns

1+: ¥ 7.024137

10+: ¥ 4.338437

100+: ¥ 2.798912

500+: ¥ 2.135833

1000+: ¥ 1.922052

2000+: ¥ 1.742068

总额:¥ 7.02

BYG23MHM3_A/H 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44089411

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):5uA@1kV

反向恢复时间(Trr):75ns

1+: ¥ 7.354684

10+: ¥ 4.561557

100+: ¥ 2.950964

500+: ¥ 2.256318

总额:¥ 7.35

BYG23M 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AC,SMA

编号:L44081006

1+: ¥ 3.718661

10+: ¥ 2.289042

100+: ¥ 1.445319

500+: ¥ 1.077750

1000+: ¥ 0.958836

2000+: ¥ 0.858763

总额:¥ 3.72

BYG23MHE3_A/H 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

编号:L44084802

1+: ¥ 7.024137

10+: ¥ 4.338437

100+: ¥ 2.803044

500+: ¥ 2.138808

总额:¥ 7.02

BYG23MHM3_A/I 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44104115

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):5uA@1kV

反向恢复时间(Trr):75ns

15000+: ¥ 1.555144

总额:¥ 23327.16

BYG23M-M3/TR 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 雪崩二极管

编号:L44103789

直流反向耐压(Vr):1kV

整流电流:1.5A

反向电流(Ir):5uA@1kV

反向恢复时间(Trr):75ns

10800+: ¥ 1.450773

总额:¥ 15668.35

没有符合条件的记录。