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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG23MH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44086655

1+： ¥ 3.718661

10+： ¥ 2.289042

100+： ¥ 1.445319

500+： ¥ 1.077750

1000+： ¥ 0.958836

2000+： ¥ 0.858763

总额：¥ 3.72

BYG23MHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44084783

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 7.024137

10+： ¥ 4.338437

100+： ¥ 2.803044

500+： ¥ 2.138808

1000+： ¥ 1.924779

2000+： ¥ 1.744548

总额：¥ 7.02

BYG23MHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44089411

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：75ns

1+： ¥ 7.354684

10+： ¥ 4.561557

100+： ¥ 2.950964

500+： ¥ 2.256318

总额：¥ 7.35

BYG23MHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44084802

1+： ¥ 7.024137

10+： ¥ 4.338437

100+： ¥ 2.803044

500+： ¥ 2.138808

总额：¥ 7.02

BYG23MHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104115

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：75ns

15000+： ¥ 1.555144

总额：¥ 23327.16

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