BZT52B2V2 复制

品牌：NextGen Components复制

封装：SOD-123

编号：L44751836

BZT52B2V2 复制

品牌：NextGen Components复制

封装：SOD-123

编号：L40013342

BZT52B2V2-G3-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44762056

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

BZT52B2V2-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44761782

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

BZT52B2V2-HF 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：SOD-123

编号：L44759198

BZT52B2V2-G3-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L40485195

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

BZT52B2V2-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L40484914

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

BZT52B2V2-HF 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：SOD-123

编号：L40171923