CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D3958408

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）

写周期时间 - 字，页：45ns

制造商：Cypress Semiconductor Corp

包装：散装

CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3981770

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）

写周期时间 - 字，页：45ns

制造商：Infineon Technologies

包装：托盘

CY62167GN30-45BVXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3981679

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）

写周期时间 - 字，页：45ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：48-VFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50162304

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：48-VFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37359354

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-VFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50181423

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY62167GN30-45BVXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-VFBGA

编号：L50181270

写周期时间 - 字，页：45ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

基本产品编号：CY62167

CY62167GN30-45BVXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-VFBGA

编号：L37378446

写周期时间 - 字，页：45ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

基本产品编号：CY62167

CY62167GN30-45BVXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-VFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37378445

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃