CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D3961129

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：36-SOJ

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Cypress Semiconductor Corp

包装：散装

CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D4006621

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：36-SOJ

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Infineon Technologies

包装：管件

CY7S1049GE30-10VXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3979055

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：36-SOJ

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50164694

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：-

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：10ns

CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37361760

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：-

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：10ns

CY7S1049GE30-10VXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50180472

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：4Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50158308

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：-

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：10ns

CY7S1049GE30-10VXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37377471

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：4Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY7S1049GE30-10VXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37355383

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：-

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：10ns