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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

DTC114EET1 复制

品牌:onsemi复制

封装:-

编号:L51840158

手册:  

4537+: ¥ 0.578458

总额:¥ 2624.46

DTC114EU3T106 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 数字晶体管

编号:L51839098

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):200mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 1.652738

10+: ¥ 0.991643

100+: ¥ 0.610687

500+: ¥ 0.444421

1000+: ¥ 0.390459

总额:¥ 1.65

DTC114EKAT146 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 数字晶体管

编号:L51839130

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):50mA

耗散功率(Pd):200mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 1.900649

10+: ¥ 1.173444

100+: ¥ 0.724726

500+: ¥ 0.530033

1000+: ¥ 0.466816

总额:¥ 1.9

DTC114E 复制

品牌:onsemi复制

封装:-

编号:L51840041

手册:  

7869+: ¥ 0.330548

总额:¥ 2601.08

DTC114EET1G 复制

品牌:onsemi复制

封装:SC-75,SOT-416

编号:L51839079

手册:  

1+: ¥ 1.404827

10+: ¥ 0.842896

100+: ¥ 0.518960

500+: ¥ 0.376494

1000+: ¥ 0.330134

总额:¥ 1.4

DTC114EETL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-75,SOT-416

类目: 数字晶体管

编号:L51839161

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 2.479107

10+: ¥ 1.503992

100+: ¥ 0.937102

500+: ¥ 0.690349

1000+: ¥ 0.610274

总额:¥ 2.48

DTC114EMFHAT2L 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SOT-723

类目: 数字晶体管

编号:L51839886

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 2.974928

10+: ¥ 1.809748

100+: ¥ 1.134605

500+: ¥ 0.840417

1000+: ¥ 0.745054

2000+: ¥ 0.664649

总额:¥ 2.97

DTC114EMT2L 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SOT-723

类目: 数字晶体管

编号:L51839177

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 3.388113

10+: ¥ 2.065923

100+: ¥ 1.299052

500+: ¥ 0.965695

1000+: ¥ 0.858019

2000+: ¥ 0.767201

总额:¥ 3.39

DTC114EU3HZGT106 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-70,SOT-323

类目: 数字晶体管

编号:L51839167

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):200mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 2.561744

10+: ¥ 1.545310

100+: ¥ 0.962720

500+: ¥ 0.709520

1000+: ¥ 0.627462

总额:¥ 2.56

DTC114EMHZGT2L 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SOT-723

编号:L51737384

1+: ¥ 2.644381

10+: ¥ 1.619683

100+: ¥ 1.013128

500+: ¥ 0.747533

1000+: ¥ 0.661591

2000+: ¥ 0.589118

总额:¥ 2.64

DTC114EEFRATL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-75,SOT-416

编号:L51839489

1+: ¥ 2.974928

10+: ¥ 1.809748

100+: ¥ 1.134605

500+: ¥ 0.840417

1000+: ¥ 0.745054

总额:¥ 2.97

DTC114EE3TL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-75,SOT-416

编号:L51839443

1+: ¥ 2.396470

10+: ¥ 1.462673

100+: ¥ 0.911485

500+: ¥ 0.671012

1000+: ¥ 0.592837

总额:¥ 2.4

DTC114ECAHE3-TP 复制

品牌:MCC (Micro Commercial Components)复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

编号:L51839425

1+: ¥ 2.148559

10+: ¥ 1.313927

100+: ¥ 0.816453

500+: ¥ 0.597630

1000+: ¥ 0.526562

总额:¥ 2.15

DTC114EE3HZGTL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-75,SOT-416

编号:L51839475

1+: ¥ 2.644381

10+: ¥ 1.619683

100+: ¥ 1.013128

500+: ¥ 0.747533

1000+: ¥ 0.661591

总额:¥ 2.64

DTC114EE 复制

品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装:-

类目: 三极管(BJT)

编号:L51843212

集电极电流(Ic):100mA

集射极击穿电压(Vceo):50V

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 1.074280

10+: ¥ 0.669359

100+: ¥ 0.409053

500+: ¥ 0.295510

1000+: ¥ 0.258488

总额:¥ 1.07

DTC114EUBTL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-85

编号:L51839824

1+: ¥ 1.652738

10+: ¥ 0.991643

100+: ¥ 0.610687

500+: ¥ 0.444421

1000+: ¥ 0.390459

总额:¥ 1.65

DTC114EEBTL 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:SC-89,SOT-490

类目: 数字晶体管

编号:L51839148

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):150mW

直流电流增益(hFE):30@10mA,5V

1+: ¥ 1.983286

10+: ¥ 1.214762

100+: ¥ 0.752822

500+: ¥ 0.550858

1000+: ¥ 0.485409

总额:¥ 1.98

DTC114ECAT116 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 数字晶体管

编号:L51840832

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):350mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 3.966571

10+: ¥ 2.437789

100+: ¥ 1.543657

500+: ¥ 1.154437

1000+: ¥ 1.028581

总额:¥ 3.97

DTC114EUA-TP 复制

品牌:MCC (Micro Commercial Components)复制

封装:SC-70,SOT-323

编号:L51840776

1+: ¥ 1.322190

10+: ¥ 0.793314

100+: ¥ 0.486731

500+: ¥ 0.351703

1000+: ¥ 0.307822

总额:¥ 1.32

DTC114ECAHZGT116 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 数字晶体管

编号:L51840778

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

耗散功率(Pd):350mW

直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

1+: ¥ 1.487464

10+: ¥ 0.892479

100+: ¥ 0.550362

500+: ¥ 0.399632

1000+: ¥ 0.350546

总额:¥ 1.49

没有符合条件的记录。
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