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  • 壹壹捌订货
  • Digikey

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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

ES3G-E3/57T 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：二极管

编号：E014473

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 4.290000

10+： ¥ 3.740000

100+： ¥ 3.210000

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 4.29

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

ES3GC 复制

品牌：MDD复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 开关二极管

编号：L44093519

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：150mA

反向电流(Ir)：25nA@20V

3000+： ¥ 2.634464

总额：¥ 7903.39

ES3GB 复制

品牌：MDD复制

封装：DO-214AA，SMB

类目： 开关二极管

编号：L44093476

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：150mA

反向电流(Ir)：25nA@20V

6000+： ¥ 1.791568

总额：¥ 10749.41

ES3G V7G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44092544

1+： ¥ 13.552452

10+： ¥ 8.602501

100+： ¥ 5.747396

总额：¥ 13.55

ES3G-E3/57T 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 通用二极管

编号：L44082300

正向压降(Vf)：1.1V@3A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向电流(Ir)：10uA@400V

1+： ¥ 8.759511

10+： ¥ 5.462299

100+： ¥ 3.558345

总额：¥ 8.76

ES3G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44084838

正向压降(Vf)：1.3V@3A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向恢复时间(Trr)：35ns

1+： ¥ 7.272047

10+： ¥ 4.520238

100+： ¥ 2.925346

500+： ¥ 2.235824

1000+： ¥ 2.013613

总额：¥ 7.27

ES3GC 复制

品牌：Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44091056

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向电流(Ir)：5uA

反向恢复时间(Trr)：35ns

1+： ¥ 1.818012

10+： ¥ 1.107334

100+： ¥ 0.684234

500+： ¥ 0.500284

1000+： ¥ 0.440620

总额：¥ 1.82

ES3GB 复制

品牌：Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装：-

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44090487

正向压降(Vf)：1.25V@3A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向电流(Ir)：-

1+： ¥ 0.909006

10+： ¥ 0.561931

100+： ¥ 0.343770

500+： ¥ 0.247084

1000+： ¥ 0.215600

总额：¥ 0.91

ES3GH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44087448

1+： ¥ 7.272047

10+： ¥ 4.520238

100+： ¥ 2.925346

500+： ¥ 2.235824

1000+： ¥ 2.013613

总额：¥ 7.27

ES3G 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44092310

正向压降(Vf)：1.3V@3A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向恢复时间(Trr)：35ns

1+： ¥ 8.759511

10+： ¥ 5.487090

100+： ¥ 3.579004

500+： ¥ 2.756932

1000+： ¥ 2.491833

总额：¥ 8.76

ES3GHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44085276

1+： ¥ 11.486529

10+： ¥ 7.214201

100+： ¥ 4.763191

总额：¥ 11.49

ES3G-E3/9AT 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44085040

1+： ¥ 8.759511

10+： ¥ 5.462299

100+： ¥ 3.558345

500+： ¥ 2.740074

1000+： ¥ 2.476463

总额：¥ 8.76

ES3GB 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AA，SMB

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44096645

正向压降(Vf)：1.25V@3A

直流反向耐压(Vr)：400V

整流电流：3A

反向电流(Ir)：-

1+： ¥ 6.693589

10+： ¥ 4.140109

100+： ¥ 2.665866

500+： ¥ 2.030389

1000+： ¥ 1.825532

总额：¥ 6.69

ES3GBH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L44096383

1+： ¥ 6.693589

10+： ¥ 4.140109

100+： ¥ 2.665866

500+： ¥ 2.030389

1000+： ¥ 1.825532

总额：¥ 6.69

ES3G-M3/9AT 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44106602

7000+： ¥ 2.851882

总额：¥ 19963.17

ES3GHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44106292

3500+： ¥ 2.674709

7000+： ¥ 2.481503

10500+： ¥ 2.383166

17500+： ¥ 2.353086

总额：¥ 9361.48

ES3GHE3/57T 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44105851

1700+： ¥ 2.390520

2550+： ¥ 2.284497

4250+： ¥ 2.164839

5950+： ¥ 2.093688

8500+： ¥ 2.065923

总额：¥ 4063.88

ES3G-M3/57T 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44105746

5100+： ¥ 2.314907

总额：¥ 11806.03

ES3GHE3/9AT 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44105544

3500+： ¥ 2.208636

7000+： ¥ 2.065923

总额：¥ 7730.23

ES3GSMB 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L44104806

48000+： ¥ 1.845282

总额：¥ 88573.54

ES3GC-HF 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44104067

3000+： ¥ 1.539030

6000+： ¥ 1.463499

总额：¥ 4617.09

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