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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

ES3G-E3/57T 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目:二极管

编号:E014473

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

1+: ¥ 4.290000

10+: ¥ 3.740000

100+: ¥ 3.210000

CN: 1+

1 个/EA

总额:¥ 4.29

Total:11
总1条记录,每页20条,共1页。
Digikey
原厂正品

ES3GC 复制

品牌:MDD复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 开关二极管

编号:L44093519

正向压降(Vf):1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr):100V

整流电流:150mA

反向电流(Ir):25nA@20V

3000+: ¥ 2.634464

总额:¥ 7903.39

ES3GB 复制

品牌:MDD复制

封装:DO-214AA,SMB

类目: 开关二极管

编号:L44093476

正向压降(Vf):1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr):100V

整流电流:150mA

反向电流(Ir):25nA@20V

6000+: ¥ 1.791568

总额:¥ 10749.41

ES3G V7G 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44092544

1+: ¥ 13.552452

10+: ¥ 8.602501

100+: ¥ 5.747396

总额:¥ 13.55

ES3G-E3/57T 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 通用二极管

编号:L44082300

正向压降(Vf):1.1V@3A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向电流(Ir):10uA@400V

1+: ¥ 8.759511

10+: ¥ 5.462299

100+: ¥ 3.558345

总额:¥ 8.76

ES3G 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44084838

正向压降(Vf):1.3V@3A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向恢复时间(Trr):35ns

1+: ¥ 7.272047

10+: ¥ 4.520238

100+: ¥ 2.925346

500+: ¥ 2.235824

1000+: ¥ 2.013613

总额:¥ 7.27

ES3GC 复制

品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44091056

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向电流(Ir):5uA

反向恢复时间(Trr):35ns

1+: ¥ 1.818012

10+: ¥ 1.107334

100+: ¥ 0.684234

500+: ¥ 0.500284

1000+: ¥ 0.440620

总额:¥ 1.82

ES3GB 复制

品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.复制

封装:-

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44090487

正向压降(Vf):1.25V@3A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向电流(Ir):-

1+: ¥ 0.909006

10+: ¥ 0.561931

100+: ¥ 0.343770

500+: ¥ 0.247084

1000+: ¥ 0.215600

总额:¥ 0.91

ES3GH 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44087448

1+: ¥ 7.272047

10+: ¥ 4.520238

100+: ¥ 2.925346

500+: ¥ 2.235824

1000+: ¥ 2.013613

总额:¥ 7.27

ES3G 复制

品牌:Diotec Semiconductor复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44092310

正向压降(Vf):1.3V@3A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向恢复时间(Trr):35ns

1+: ¥ 8.759511

10+: ¥ 5.487090

100+: ¥ 3.579004

500+: ¥ 2.756932

1000+: ¥ 2.491833

总额:¥ 8.76

ES3GHE3_A/H 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44085276

1+: ¥ 11.486529

10+: ¥ 7.214201

100+: ¥ 4.763191

总额:¥ 11.49

ES3G-E3/9AT 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44085040

1+: ¥ 8.759511

10+: ¥ 5.462299

100+: ¥ 3.558345

500+: ¥ 2.740074

1000+: ¥ 2.476463

总额:¥ 8.76

ES3GB 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AA,SMB

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44096645

正向压降(Vf):1.25V@3A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:3A

反向电流(Ir):-

1+: ¥ 6.693589

10+: ¥ 4.140109

100+: ¥ 2.665866

500+: ¥ 2.030389

1000+: ¥ 1.825532

总额:¥ 6.69

ES3GBH 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AA,SMB

编号:L44096383

1+: ¥ 6.693589

10+: ¥ 4.140109

100+: ¥ 2.665866

500+: ¥ 2.030389

1000+: ¥ 1.825532

总额:¥ 6.69

ES3G-M3/9AT 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44106602

7000+: ¥ 2.851882

总额:¥ 19963.17

ES3GHE3_A/I 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44106292

3500+: ¥ 2.674709

7000+: ¥ 2.481503

10500+: ¥ 2.383166

17500+: ¥ 2.353086

总额:¥ 9361.48

ES3GHE3/57T 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44105851

1700+: ¥ 2.390520

2550+: ¥ 2.284497

4250+: ¥ 2.164839

5950+: ¥ 2.093688

8500+: ¥ 2.065923

总额:¥ 4063.88

ES3G-M3/57T 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44105746

5100+: ¥ 2.314907

总额:¥ 11806.03

ES3GHE3/9AT 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44105544

3500+: ¥ 2.208636

7000+: ¥ 2.065923

总额:¥ 7730.23

ES3GSMB 复制

品牌:Diotec Semiconductor复制

封装:DO-214AA,SMB

编号:L44104806

48000+: ¥ 1.845282

总额:¥ 88573.54

ES3GC-HF 复制

品牌:Comchip Technology复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44104067

3000+: ¥ 1.539030

6000+: ¥ 1.463499

总额:¥ 4617.09