ESD103B102ELSE6327XTSA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E007717

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

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品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D1406338

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：48V（典型值）

不同频率时电容：0.13pF @ 1MHz

供应商器件封装：PG-TSSLP-2-4

制造商：Infineon Technologies

功率 - 峰值脉冲：-

ESD103B102ELSE6327XTSA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E016477

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

ESD103B102ELSE6327XTSA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E015457

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

ESD103B102ELSE6327XTSA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L42094723

供应商器件封装：PG-TSSLP-2-4

制造商：Infineon Technologies

功率 - 峰值脉冲：-

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带