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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 复制

品牌:INFINEON复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E010230

手册:  

漏源电压(Vdss):55V

连续漏极电流(Id):110A

导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,62A

耗散功率(Pd):200W

1+: ¥ 947.330000

: 1+

1 个/EA

总额:¥ 947.33

EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:-

编号:D8222216

主要属性:-

使用的 IC、零件:1EDF5673K,IGOT60R070D1

内含物:板

制造商:Infineon Technologies

功能:半 H 桥驱动器(外部 FET)

总额:¥ 0

Total:21
总2条记录,每页20条,共1页。
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