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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 复制

品牌：infineon technologies复制

封装：-

类目： 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号：L51026558

商品目录：碳化硅场效应管(MOSFET)

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：1200V

连续漏极电流(Id)：85A

1+： ¥ 8011.044206

10+： ¥ 7563.381938

总额：¥ 8011.04

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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：模块

类目： 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号：L44798431

商品目录：碳化硅场效应管(MOSFET)

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：1200V

连续漏极电流(Id)：85A

1+： ¥ 1160.469987

18+： ¥ 877.870134

总额：¥ 1160.47

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：模块

类目： 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号：L33243552

商品目录：碳化硅场效应管(MOSFET)

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：1200V

连续漏极电流(Id)：85A

1+： ¥ 990.651157

18+： ¥ 800.113439

总额：¥ 990.65

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