GBJ35JL-F 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：-

编号：D6159076

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：920 mV @ 17.5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBJ

制造商：Diodes Incorporated

GBJ35J 复制

品牌：GeneSiC Semiconductor复制

封装：-

编号：D6158525

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 17.5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBJ

制造商：GeneSiC Semiconductor

GBJ35JL-F 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-SIP，GBJ

编号：L44817917

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBJ

制造商：Diodes Incorporated

包装：管件

GBJ35J 复制

品牌：Navitas Semiconductor, Inc.复制

封装：4-SIP，GBJ

编号：L44817400

GBJ35JL-F 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-SIP，GBJ

编号：L33271834

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBJ

制造商：Diodes Incorporated

包装：管件

GBJ35J 复制

品牌：Navitas Semiconductor, Inc.复制

封装：4-SIP，GBJ

编号：L33271004