GBU4D-BP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：-

编号：D6161345

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

GBU4D-E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160308

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D-E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6155140

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：-

编号：D6156042

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

GBU4D 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6155486

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：onsemi

GBU4DL-5303M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160793

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4DL-5303M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160792

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D-M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6158266

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D 复制

品牌：GeneSiC Semiconductor复制

封装：-

编号：D6157412

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：GeneSiC Semiconductor

GBU4DL-6419M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160797

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4DL-6419M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160796

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4DL-5303E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160791

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D-M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6158226

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D-T 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：-

编号：D6157051

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

GBU4DL-6419E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160795

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4DL-6419E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160794

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4DL-5303E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160790

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 200 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU4D-E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65530238

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件

GBU4D-BP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65530130

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

包装：管件

GBU4D-E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65530824

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：-

反向电流(Ir)：5uA@200V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A

GBU4D 复制

品牌：onsemi复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65531148

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：onsemi

包装：管件

GBU4D 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65531653

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

包装：散装

GBU4D-M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65533644

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件

GBU4D-M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65533638

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：托盘

GBU4D-T 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65532610

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

包装：散装

GBU4D 复制

品牌：Navitas Semiconductor, Inc.复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L58721254