GBU6J 复制

品牌：GeneSiC Semiconductor复制

封装：-

编号：D6157001

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：GeneSiC Semiconductor

GBU6J 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6157030

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：onsemi

GBU6J-BP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：-

编号：D6159212

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 3 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

GBU6J-E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6161405

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6J-T 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：-

编号：D6156049

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

GBU6J-E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160303

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-7002E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160862

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-6131M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160859

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5704M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160857

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5704E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160856

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5305M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160849

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5305M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160848

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5305E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160847

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5305E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160846

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5301M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160843

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6J-1E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160837

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5702M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160854

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-5702E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160853

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-7001M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160861

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6JL-7001E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6160860

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 600 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GBU6J 复制

品牌：Navitas Semiconductor, Inc.复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65530179

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：-

反向电流(Ir)：10uA@600V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：175A

GBU6J-BP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65530121

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

包装：管件

GBU6J 复制

品牌：onsemi复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65529829

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：onsemi

包装：管件

GBU6J-E3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65530247

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件

GBU6J 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65531655

手册:  

直流反向耐压(Vr)：600V

整流电流：-

反向电流(Ir)：10uA@600V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：175A

GBU6J-T 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65531036

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diotec Semiconductor

包装：散装

GBU6J-E3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65531895

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：散装

GBU6J-M3/45 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65533697

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件

GBU6J-M3/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65533683

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：托盘