GBU810 L 复制

品牌：MDD复制

封装：-

编号：D6155593

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MDD

GBU810 复制

品牌：MDD复制

封装：-

编号：D6155592

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：MDD

GBU810_T0_00601 复制

品牌：Panjit International Inc.复制

封装：-

编号：D6154955

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.05 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU-2

制造商：Panjit International Inc.

GBU810 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：-

编号：D6155411

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Good-Ark Semiconductor

GBU810 复制

品牌：SMC Diode Solutions复制

封装：-

编号：D6156984

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：SMC Diode Solutions

GBU810 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：-

编号：D6154768

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Diodes Incorporated

GBU810G 复制

品牌：SMC Diode Solutions复制

封装：-

编号：D6155954

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：SMC Diode Solutions

GBU810 复制

品牌：EVVO复制

封装：-

编号：D6156143

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：EVVO

GBU810-G 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：-

编号：D6158182

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Comchip Technology

GBU810 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65529610

手册:  

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：-

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A

GBU810 L 复制

品牌：MDD复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 开关二极管

编号：L65531289

手册:  

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：150mA

反向电流(Ir)：25nA@20V

GBU810 复制

品牌：MDD复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 开关二极管

编号：L65531288

手册:  

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：150mA

反向电流(Ir)：25nA@20V

GBU810 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65531068

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：-

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A

GBU810G 复制

品牌：SMC Diode Solutions复制

封装：4-ESIP

类目： 整流桥

编号：L65531564

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：8A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：175A

GBU810 复制

品牌：EVVO复制

封装：4-SIP，GBU

类目： 整流桥

编号：L65531088

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：-

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A

GBU810 复制

品牌：SMC Diode Solutions复制

封装：4-ESIP

类目： 整流桥

编号：L65530126

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：-

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A

GBU810_T0_00601 复制

品牌：Panjit International Inc.复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65532113

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU-2

制造商：Panjit International Inc.

包装：管件

GBU810-G 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：4-SIP，GBU

编号：L65533485

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：GBU

制造商：Comchip Technology

包装：散装