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GSOT03C-E3-08 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

编号:D1414330

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12.3V

不同频率时电容:420pF @ 1MHz

供应商器件封装:SOT-23-3

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

总额:¥ 0

GSOT03C-E3-08 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E007151

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

5+: ¥ 2.240000

100+: ¥ 1.370000

500+: ¥ 0.960000

1000+: ¥ 0.740000

3000+: ¥ 0.590000

6000+: ¥ 0.560000

9000+: ¥ 0.530000

24000+: ¥ 0.520000

CN: 1+

5 个/EA

总额:¥ 11.2

Total:100001234567891011...500
总10000条记录,每页20条,共500页。
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