H11A817300 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：-

编号：D3609988

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：Fairchild Semiconductor

包装：管件

H11A817W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618191

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618190

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618189

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817DSD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618187

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817DS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618186

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817D3SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618185

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817D3S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618184

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817CW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618181

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817C300W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618176

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817BW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618174

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817BSD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618173

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817BS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618172

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B3SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618171

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817B3S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618170

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618168

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817AW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618167

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817ASD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618166

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817AS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618165

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817A300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618161

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817300 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）

编号：L71041314

供应商器件封装：4-DIP

制造商：Fairchild Semiconductor

包装：管件

安装类型：通孔