H11A817AW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618167

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817ASD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618166

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817AS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618165

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817A300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618161

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817A3SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618164

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817A3S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618163

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817A300W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618162

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817A 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3617805

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件