H11A817BW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618174

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817BSD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618173

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817BS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618172

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B3SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618171

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11A817B3S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618170

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618168

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3617806

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11A817B300W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618169

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件