H11AA1M 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3615069

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：-

供应商器件封装：6-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA1M 复制

品牌：Everlight Electronics Co Ltd复制

封装：-

编号：D3616553

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：10µs，10µs（最大）

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Everlight Electronics Co Ltd

包装：管件

H11AA1M 复制

品牌：onsemi复制

封装：6-DIP（0.300"，7.62mm）

编号：L37648740

供应商器件封装：6-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

基本产品编号：H11AA

H11AA1M 复制

品牌：onsemi复制

封装：6-DIP（0.300"，7.62mm）

编号：L50451482

供应商器件封装：6-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

基本产品编号：H11AA

H11AA1M 复制

品牌：Everlight Electronics Co Ltd复制

封装：6-DIP（0.400"，10.16mm）

类目： 晶体管输出光耦

编号：L50460469

输出类型：光电三极管

正向压降(Vf)：1.17V

输出电流：50mA

隔离电压(Vrms)：4.17kV

H11AA1M 复制

品牌：Everlight Electronics Co Ltd复制

封装：6-DIP（0.400"，10.16mm）

类目： 晶体管输出光耦

编号：L37657831

输出类型：光电三极管

正向压降(Vf)：1.17V

输出电流：50mA

隔离电压(Vrms)：4.17kV