H11AA814A 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：-

编号：D3610028

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：Fairchild Semiconductor

包装：管件

H11AA814W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618220

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618219

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11AA814S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618218

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814AW 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618217

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814ASD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618216

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11AA814A3S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618213

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814A300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618211

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA8143SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618210

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11AA814300W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618208

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814300 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618207

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814A 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3617803

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814A300W 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618212

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3617802

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-DIP

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814AS 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618215

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814A3SD 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618214

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：卷带（TR）

H11AA8143S 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D3618209

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：200mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.4µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：onsemi

包装：管件

H11AA814A 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）

编号：L71041332

供应商器件封装：4-DIP

制造商：Fairchild Semiconductor

包装：管件

安装类型：通孔