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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

HGT1S7N60C3DS9A 复制

品牌:Harris Corporation复制

封装:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

类目: IGBT管/模块

编号:L65433682

集射极击穿电压(Vces):600V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):-

栅极阈值电压(Vge(th)):-

117+: ¥ 21.320320

总额:¥ 2494.48

HGT1S7N60C3DS 复制

品牌:Harris Corporation复制

封装:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

编号:L65433575

166+: ¥ 14.957279

总额:¥ 2482.91

HGT1S7N60C3D 复制

品牌:Fairchild Semiconductor复制

封装:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA

类目: IGBT管/模块

编号:L65433501

集射极击穿电压(Vces):600V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):60W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

209+: ¥ 11.899714

总额:¥ 2487.04

没有符合条件的记录。
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