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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

HGTP7N60B3D 复制

品牌:Harris Corporation复制

封装:TO-220-3

类目: IGBT管/模块

编号:L65433520

集射极击穿电压(Vces):600V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):60W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

189+: ¥ 13.139267

总额:¥ 2483.32

HGTP7N60B3D 复制

品牌:Fairchild Semiconductor复制

封装:TO-220-3

类目: IGBT管/模块

编号:L65433521

集射极击穿电压(Vces):600V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):60W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

189+: ¥ 13.139267

总额:¥ 2483.32

没有符合条件的记录。
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