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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E016455

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 15.020000

10+： ¥ 12.650000

100+： ¥ 10.610000

500+： ¥ 8.980000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 15.02

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E015435

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 15.020000

10+： ¥ 12.650000

100+： ¥ 10.610000

500+： ¥ 8.980000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 15.02

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E011095

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 15.020000

10+： ¥ 12.650000

100+： ¥ 10.610000

500+： ¥ 8.980000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 15.02

Total:31
总3条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L65432793

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：170W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 45.450295

10+： ¥ 30.212051

100+： ¥ 21.573189

500+： ¥ 19.450743

总额：¥ 45.45

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