IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E016455

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E015435

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E011095

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715363

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：170W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

IKB20N60H3ATMA1 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203011

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：170W

栅极阈值电压(Vge(th))：-