ILD620GB-X009T 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3609035

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

ILD620GB 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E012785

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

ILD620-X007T 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3616768

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：卷带（TR）

ILD620GB 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3616760

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-DIP

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：管件

ILD620 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3616680

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-DIP

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：管件

ILD620-X009T 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3611664

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

ILD620GB-X009 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3607677

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：管件

ILD620-X009 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3607696

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：管件

ILD620-X007 复制

品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3607695

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：20µs，2µs

供应商器件封装：8-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：管件