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ILD621GB 复制
品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制
编号:D3617268
Vce 饱和压降(最大):400mV
上升、下降时间(典型值):2µs,2µs
供应商器件封装:8-DIP
制造商:Vishay Semiconductor Opto Division
总额:¥ 0
品牌:VISHAY复制
编号:E002920
类目: 场效应管(MOSFET)
手册:
漏源电压(Vdss): 400V
连续漏极电流(Id): 6.3A
导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd): 125W
1+: ¥ 12.750000
10+: ¥ 8.550000
100+: ¥ 6.530000
500+: ¥ 5.910000
1000+: ¥ 5.080000
2000+: ¥ 5.070000
4000+: ¥ 4.690000
10000+: ¥ 4.610000
MY: 1+
1 个/EA
总额:¥ 12.75
ILD621GB-X007T 复制
编号:D3611859
供应商器件封装:8-SMD
ILD621GB-X001 复制
编号:D3607689
ILD621GB-X007 复制
编号:D3607690
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