IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E008796

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016548

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015528

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44047105