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场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E008882

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E016739

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E015720

手册:  

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 110A

导通电阻(RDS(on))： 8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)： 200W

1+： ¥ 12.350000

10+： ¥ 11.090000

100+： ¥ 8.680000

500+： ¥ 7.110000

1000+： ¥ 5.250000

5000+： ¥ 4.970000

10000+： ¥ 4.800000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 12.35

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