IRF530NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E013868

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRF5305PBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E013867

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRF5305STRL(UMW) 复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：-

类目：开关

编号：E20146260

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

IRF5305PBF(UMW) 复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：-

类目：开关

编号：E20146259

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

IRF5305STRLPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44044843

IRF5305PBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-220-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044679

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：31A

导通电阻(RDS(on))：-

耗散功率(Pd)：110W

IRF530NPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-220-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044452

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：17A

导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V，9A

耗散功率(Pd)：70W

IRF530NSTRLPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44047353

IRF530STRLPBF 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44047544

IRF530PBF-BE3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-220-3

编号：L44047527

IRF530STRRPBF 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44050482

IRF5305L 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA

编号：L44075859

IRF530STRR 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44075541

IRF530S 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44075470

IRF530NS 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44074929

IRF530N_R4942 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-220-3

编号：L44071532

IRF530 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-220-3

编号：L44070393

手册:  

IRF530SPBF 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44067232

IRF530PBF 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：TO-220-3

编号：L44065912