IRF540NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E013869

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRF540NSTRL(UMW) 复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：-

类目：开关

编号：E20146262

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

IRF540N(UMW) 复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：-

类目：开关

编号：E20146261

工作电压：35V

输出电压：6V

输出电流：1.2A

电源纹波抑制比(PSRR)：-

IRF540NS 复制

品牌：IR复制

封装：-

类目： 台虎钳

编号：E025219

-：

尺寸：6寸

颜色：蓝色

材质：钢

IRF540N 复制

品牌：IR复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E023482

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：45A

导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V，10A

耗散功率(Pd)：95W

IRF540NSTRLPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E007564

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRF540NSTRLPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044785

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：33A

导通电阻(RDS(on))：44mΩ@10V，16A

耗散功率(Pd)：130W

IRF540NPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-220-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044624

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：33A

导通电阻(RDS(on))：44mΩ@10V，16A

耗散功率(Pd)：130W

IRF540NLPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA

编号：L44072812

IRF540N_R4942 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-220-3

编号：L44072693