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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

IRF640NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E013870

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 11.340000

10+： ¥ 10.150000

100+： ¥ 7.920000

500+： ¥ 6.540000

1000+： ¥ 5.170000

2000+： ¥ 4.830000

5000+： ¥ 4.580000

10000+： ¥ 4.410000

KR： 1+

1 个/EA

总额：¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E017107

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 11.340000

10+： ¥ 10.150000

100+： ¥ 7.920000

500+： ¥ 6.540000

1000+： ¥ 5.170000

2000+： ¥ 4.830000

5000+： ¥ 4.580000

10000+： ¥ 4.410000

KR： 255+

1 个/EA

总额：¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：V / F和F / V转换芯片

编号：E016089

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

1+： ¥ 11.340000

10+： ¥ 10.150000

100+： ¥ 7.920000

500+： ¥ 6.540000

1000+： ¥ 5.170000

2000+： ¥ 4.830000

5000+： ¥ 4.580000

10000+： ¥ 4.410000

KR： 255+

1 个/EA

总额：¥ 11.34

IRF640NPBF 复制

品牌：IRF复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E025841

漏源电压(Vdss)：200V

连续漏极电流(Id)：18A

导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V，11A

耗散功率(Pd)：150W

10+： ¥ 1.570000

深圳： 100+

1 个/PCS

总额：¥ 15.7

Total:41
总4条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

IRF640NPBF 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：TO-220-3

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044615

漏源电压(Vdss)：200V

连续漏极电流(Id)：18A

导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V，11A

耗散功率(Pd)：150W

1+： ¥ 15.783648

50+： ¥ 7.521611

100+： ¥ 6.715074

500+： ¥ 5.299339

1000+： ¥ 4.843845

2000+： ¥ 4.460740

5000+： ¥ 4.138704

总额：¥ 15.78

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