IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3978152

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-TSOP I

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：卷带（TR），剪切带（CT）

IS62WV102416DBLL-55TLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3979122

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-TSOP I

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

IS62WV102416DBLL-55TLI 复制

品牌：issi复制

封装：Tray

类目： DDR SDRAM

编号：L51035977

存储容量：-

工作电压：1.7V~1.9V

工作温度：-40℃~+85℃

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品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50180471

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50180398

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

IS62WV102416DBLL-55TLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37379088

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37377985

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns