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ISL9V2540S3ST 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44716727

集射极击穿电压(Vces)：430V

集电极电流(Ic)：15.5A

耗散功率(Pd)：166.7W

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@4V，6A

152+： ¥ 16.362106

总额：¥ 2487.04

ISL9V2540S3ST 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33205089

集射极击穿电压(Vces)：430V

集电极电流(Ic)：15.5A

耗散功率(Pd)：166.7W

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@4V，6A

152+： ¥ 16.362106

总额：¥ 2487.04

ISL9V2540S3ST 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L44716028

800+： ¥ 7.272047

总额：¥ 5817.64

ISL9V2540S3ST 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

编号：L33203997

800+： ¥ 7.272047

总额：¥ 5817.64

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