LSK389B SOIC 8L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：-

编号：D6165624

手册:  

FET 类型：2 N-通道（双）

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：300 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：6 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 10V

供应商器件封装：8-SOIC

LSK389B SOIC 8L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239246

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：300mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：400mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：6mA@10V

LSK389B SOIC 8L ROHS 复制

品牌：Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795441

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：300mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：400mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：6mA@10V