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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

MB2S-E3/80 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:-

编号:D6155893

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 200 V

二极管类型:单相

供应商器件封装:TO-269AA(MBS)

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

总额:¥ 0

Total:11
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Digikey
原厂正品

MB2S-E3/80 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:TO-269AA,4-BESOP

类目: 整流桥

编号:L33265207

直流反向耐压(Vr):200V

整流电流:500mA

反向电流(Ir):5uA@200V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):35A

1+: ¥ 6.858863

10+: ¥ 4.247537

100+: ¥ 2.741066

500+: ¥ 2.090052

1000+: ¥ 1.880072

总额:¥ 6.86

MB2S-E3/80 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:TO-269AA,4-BESOP

类目: 整流桥

编号:L44813098

直流反向耐压(Vr):200V

整流电流:500mA

反向电流(Ir):5uA@200V

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):35A

1+: ¥ 6.858863

10+: ¥ 4.247537

100+: ¥ 2.741066

500+: ¥ 2.090052

1000+: ¥ 1.880072

总额:¥ 6.86